Imec, investigatio Belgica et centrum innovationis, primas functiones GaAs-fundatas heterojunctionem transistoris bipolaris (HBT) machinas in 300mm Si, et CMOS compatibles GaN substructas machinas in 200mm Si pro mm-undarum applicationibus praesentavit.
Eventus demonstrant potentiam utriusque III-V-in-Si et GaN-in-Si ut CMOS technologiae compatibiles ut moduli RF ante-finire possint ultra 5G applicationes.Ad colloquium IEDM anni ultimo (Dec 2019, San Francisco) allatae sunt et in signo clavis notae exhibitionis Michaelis Peeters de Imec communicationis edax ultra fasciculum in IEEE CCNC (10-13 Ian 2020, Las Vegas).
In communicatione wireless, cum 5G in generatione altera, est impulsus ad frequentias superiores operandas, movens e vinculis sub-6GHz congestis versus vincula mm-fluctus (et ultra).Vincula harum mm-undarum introductio significantem ictum in retis infrastructuram altiore 5G et machinis mobilibus habet.Ad officia mobilia et accessus Wireless fixus (FWA), haec vertit in modulos magis magisque implicatos ante-finis qui signum ad et ab antenna mittunt.
Ut frequentiis ad mm undarum operari possit, modulorum RF anteriorum modulorum celeritatem altam coniungendi debebunt (data-rates 10Gbps et ultra) cum magna output potentia.Praeterea, eorum exsecutio in mobili risus altas postulata in sua forma factor et potentia efficientiam ponit.Ultra 5G, hae requisita non amplius effici possunt cum modulis hodiernis antecedens RF ante-finis qui typice nituntur variis technologiarum diversis inter alios GaAs-substructio HBTs pro potentia amplificatoria - in parvis et pretiosis GaAs subiectis crevit.
"Ut posterius generatio RF ante-finem moduli ultra 5G, Imec explorat CMOS compatibilis III-V-in Si technologiae", inquit Nadine Collaert, director programmatis apud Imec."Imec spectat ad co-integrationem partium ante-finium (qualis potentiae ampliantis et permutationis) cum aliis CMOS innitentibus circuitibus (qualia sunt technologiae circumscriptionis vel transceptivarum moderatio), ad factores sumptus et formas reducere, ac novos topologias hybridorum ambitum efficere. oratio perficientur et efficientiam.Imec duo diversa itinera explorat: (1) InP in Si, nisi mm-undae et frequentiae supra 100GHz (applicationes futurae 6G) et (2) GaN-substructio inventa in Si, nisl (in prima periodo) inferiores mm unda. vincula et applicationes appellandi densitates altae potentiae indigentes.Utrisque enim itineribus nunc primas machinas functionis functiones consecuti sumus cum notis agendis pollicitationibus, et vias identificavimus ut frequentiam operativam augeremus."
Munus GaAs/InGaP HBT machinis in 300mm crevit Si demonstratum est ut primus gradus ad capacitatem machinarum InP-fundatur.Defectus ACERVUS cum liberorum machinarum cum infra 3x106cm-2 densitatem inflexionis inflexionis consecutus est utendo Imec singulare III-V nano-iugi machinalis (NRE) processum.Cogitationes aliquanto melius quam machinis referentiae praestant, cum GaAs fabricatae in Si subiectae cum contentione quiddam remissum (SRB) strata.Proximo gradu explorandae altioris mobilitatis InP-fundatae (HBT et HEMT) explorabuntur.
Imago supra NRE accessum ostendit pro integratione hybridarum III-V/CMOS in 300mm Si: (a) formatio fossae nano-;vitia capiuntur in angusto fossa regionis;(b) HBT incrementum ACERVUS NRE utens et (c) optiones propositae diversae pro integratione fabrica HBT.
Praeterea, CMOS-compatibilia GaN/AlGaN substructio inventa in 200mm Si fabricata sunt comparando tres architecturas varias fabricae - HEMTs, MOSFETs et MISHEMTs.Ostensum est MISHEMT machinas alias rationes machinas efficere, secundum scalam machinae et strepitus effectus pro operatione summus frequentiae.Apicem abscissum frequentia fT/fmax circa 50/40 impetrata sunt pro longitudinum portae 300nm, quae in linea cum machinis GaN-on-SiC nuntiatis.Praeter portam ulteriorem longitudinis scalis, primum eventus cum AlInN ut materia obice ostendunt potentiam ad ulteriorem effectum perducendi, et hinc, multiplicationem operantem frequentiam machinae ad vincula mm-undarum debitarum augendam.
Post tempus: 23-03-21