Pii & Compone Semiconductors
Minmetalis occidentalis (SC) Corporation WMC maior est supplementum 2-12 pollicis unius cristalli vel siliconis monocrystalis per accuratas technologias doping et trahendiCzochralski CZetFluitans Zonam FZcrescere crystallum ex pii polycrystallino, et multiplex furnum, rotundum, emundans, dividens, engraving et expolitio processuum etc. postea.Unius crystalli Piiimprimis ad fabricandas circuitus integrales, diodes, thyristores, transistores, partes discretas;potentia fabrica, potestas MOSFET, IGBT et quasi substratum est alte resolutio particulae seu detectoria optica etc.
Per Magnetic-campum inducto ad regulam CZ trahendam creati, MCZ una cristallus silicon est plani oxygenii inferioris, dislocationis et variationis resistentiae uniformis, et comparative defectus immunditiae inferioris.FZ siliconzona verticalis natantis expolitio technologiam inducens ut distributio dopantis uniformis, infima variationis resistivity, summas immunditiarum restringat, notabilis tabellarius vita et scopum resistivity plus altum.Praeterea,FZ NTD (Neutron Transmutatio Doping) Pii etEpitaxial Silicon WaferEPI CVD adoptati late usi sunt in fabrica electronicarum machinarum.
Classis mundi composita semiconductores comparans, quae includit sed non minimumGallium Arsenide GaAs, Arsenide InAs, Gallium Antimonide GaSb, Antimonide InSb,India Phosphide InP, Gallium Phosphide GaP, Silicon Carbide SiC, Gallium Nitride GaN etc pro DUCTUS, ambitus nano- integratus, potentia amplificans, sensores optoelectronic, deprehensio ultrarubrum machinis, detectoribus X-radii, potentiae machinis transmissionis & novorum energiae fontes.Praeterea, compositio promissionisSapphirus Aluminium Oxide Al2O3crystallum esse materiae vitalis in optoelectronic, magna frequentia communicationis, industriarum aeronauticorum et astronauticorum.
