Single Crystal Silicon Ingot Featured Image

Unius Crystal Silicon Ingot

Descriptio

Unius Crystal Silicon Ingotis plerumque crevit ut magnum cylindricum globum per accurate doping et trahens technologias Czochralski CZ, campus magneticus Czochralski MCZ et Zonam FZ fluitans modos induxit.CZ methodus late usus est pro cristallo siliconis incrementis magnis cylindricis ingotibus diametris usque ad 300mm adhibitis in industria electronicorum ad machinas semiconductores faciendas.MCZ methodus est variatio methodi CZ in qua campus magneticus ab electro magnetico creatus est, quod efficere potest comparationem concentrationis oxygenii humilis, concentrationis immunditiae inferioris, deordinationis et resistentiae uniformis variationis.FZ methodus consecutionem resistivity altae supra 1000 Ω-cm consecutionem faciliorem reddit et cristallum puritatis cum humili oxygeni contentum.

Delivery

Unius Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ vel FZ NTD cum n-type vel p-type conductivity in Minmetalis occidentalibus (SC) Corporation liberari potest magnitudine 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm et 200mm diametri (2, 3; , 4, 6 et 8 inch), orientatio <100>, <110>, <111> cum superficie fundata in sarcinis sacculi plastici intus cum cistae cistae lobortis foris, vel ut specificatio nativus ad perfectam solutionem perveniret.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

Unius Crystal Silicon Ingot

Unius Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ vel FZ NTDcum n-type vel p-type conductivity in Minmetals (SC) Corporation liberari potest magnitudine 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm et 200mm diametri (2, 3, 4, 6 et 8 inch), orientatio <100 >, <110>, <111> cum superficie fundata in sarcinis sacculi plastici intus cum cistae lobortis foris, vel sicut specificatio ad perfectam solutionem perveniret.

Nec.	Items	Standard Specification
1	Magnitudo	2", 3", 4", 5", 6", 8", 9.5", 10", 12".
2	Diam mm	50.8-241.3, vel secundum exigentiam
3	Incrementum Methodi	CZ, MCZ, FZ, FZ-NTD .
4	Conductivity Type	P-type / Bor doped, N-type / Phosphide doped vel Un-doped
5	Longitudo mm*	≥180 aut quod erat faciendum
6	propensio	<100>, <110>, <111>
7	Resistentia Ω-cm	Quod erat faciendum
8	Carbon Content a/cm³	≤5E16 aut quod erat faciendum
9	Oxygeni Content a/cm³	≤1E18 aut quod erat faciendum
10	Contaminatio metallica a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) vel <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	stipare	Plastic sacculum intus, casus plywood vel arca extra lobortis.

Symbolum	Si
Numerus atomicus	14
Pondus atomicus	28.09
Elementum Categoriae	Metalloid
Coetus, Periodus, Clausus	14, 3, P .
Crystal structure	Diamond
Color	griseo
Liquescens punctum	1414°C
Ferveret	3265°C, 3538.15 K
Densitas ad 300K	2.329 g/cm³
Resistentia intrinseca	3.2E5 Ω-cm
CAS Number	7440-21-3
EC Number	231-130-8

Unius Crystal Silicon IngotCum eius resistivity, immunditia contenta, perfectio crystalli, magnitudinis et ponderis perfecte nata et qualificata, rotis adamantis utens nititur ut perfectam cylindrici ad dextram diametri efficiat, deinde processus engraving patitur ut vitia mechanica ab stridore relicta. .Postea regulae cylindricae cum certa longitudine incisa est, et incisura prima vel secundaria plana ab automated lagano tractante systemata datur ad noctis ad cognoscendum orientationem et conductivity crystallographicam ante laganum amni processus dividentem.