Gallium Arsenide GaAs

Descriptio

Gallium ArsenideGaAs est recta cohors intermedium compositum semiconductor globi III-V perstringitur saltem 6N 7N alte puritatis gallium et elementum arsenicum, et cristallum per VGF vel LEC processum ex alto puritatis polycrystallino gallium arsenide, colore griseo specie, crystallis cubicis cum structura zinci-blendi.Doping carbonis, siliconis, tellurii vel zinci ut n genus vel p-typum et semi-insulating conductivity respective, cylindricum InAs crystallum dividi et fabricari potest in blank et laganum in as-sectis, incisis, politis vel epi. paratus ad MBE vel MOCVD epitaxial incrementum.laganum Gallium Arsenide principaliter ad machinas electronicas fabricandas adhibetur ut diodes levis emittens infrarubes, fenestras opticas laser, effectus ager transistores FETs, lineares ICs digitales et cellulas solares.GaAs partes utiles sunt in frequentiis radiophonicis ultra-altis et applicationes commutationes electronicarum celeriter, applicationes amplificationis insignes debiles.Ceterum, Gallium Arsenide subiectum est materia idealis fabricandi partium RF, Proin frequentiae ac monolithic ICs, et LEDs machinas in communicationibus opticis et in systematibus moderandis mobilitatis aulae saturatioribus, magnae potentiae et temperaturae stabilitatis.

Delivery

Gallium Arsenide Gaas apud Minmetales occidentales (SC) Corporation suppleri potest massae polycrystallinae vel laganum crystallinum unicum in dissecto, adsuto, politum, vel epi- laganum paratum in magnitudine 2" 3" 4 et 6" (50mm; 75mm, 100mm, 150mm) diametri, cum p-typo, n-type vel conductivity semiinsulating, et <111> vel <100> orientatio.Lorem specificatio est perfecta solutio clientibus nostris per orbem terrarum.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

Gallium Arsenide

GaAs

Gallium Arsenide GaAslagana principaliter ad machinas electronicas fabricandas adhibentur ut infrared diodes levis emittens, laser diodes, fenestras opticas, ager effectus transistores FETs, lineares ICs digitales et cellulas solares.GaAs partes utiles sunt in frequentiis radiophonicis ultra-altis et applicationes commutationes electronicarum celeriter, applicationes amplificationis insignes debiles.Ceterum, Gallium Arsenide subiectum est materia idealis fabricandi partium RF, Proin frequentiae ac monolithic ICs, et LEDs machinas in communicationibus opticis et in systematibus moderandis mobilitatis aulae saturatioribus, magnae potentiae et temperaturae stabilitatis.

Nec.	Items	Standard Specification
1	Magnitudo	2"	3"	4"	6"
2	Diam mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	Incrementum Methodi	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Conductivity Type	N-Type/Si or Te-doped, P-Type/Zn-doped, Semi-Insulating/Un-doped
5	propensio	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	Crassitudo μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Flat mm . propensio	17±1	22±1	32±1	SCARIFICATIO
8	Flat mm sativum	7±1	12±1	18±1	-
9	Resistentia Ω-cm	(1-9) E(-3) pro p-type vel n-type, (1-10) E8 pro semi-insulating
10	Mobilitas cm2/vs	50-120 pro p-type, (1-2.5) E3 pro n-type, ≥4000 pro semiinsulando
11	Carrier Concentration cm-3	(5-50) E18 pro p-type, (0.8-4) E18 pro n-type
12	TTV μm max	10	10	10	10
13	Inclina μm max	30	30	30	30
14	Stamen μm max	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Superficiem Conclusio	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	stipare	Uno vase lagano consignato in alumine sacculo composito.
18	Dicta	Mechanica gradu GaAs laganum etiam in petitione praesto est.

Formulae lineares	GaAs
M. Pondus	144.64
Crystal structure	Cadmiae blende
Aspectus	Gray crystallinum solidum
Liquescens punctum	1400°F
Ferveret	N/A
Densitas ad 300K	5.32 g/cm³
Energy Gap	1.424 eV
Resistentia intrinseca	3.3E8 Ω-cm
CAS Number	1303-00-0
EC Number	215-114-8

Gallium Arsenide GaAsat Minmetalis (SC) Corporatio suppleri potest massae polycrystallinae vel laganum crystallinum unicum in dissecto, adsuto, politum, vel epi- laganum epi-paratum in magnitudine 2" 3" 4 et 6" (50mm, 75mm, 100mm. , 150mm) diametri, cum p-type, n-type vel semi-insulating conductivity, et <111> vel <100> orientatio.Lorem specificatio est perfecta solutio clientibus nostris per orbem terrarum.