Gallium Phosphide GaP

Descriptio

Gallium Phosphidis GaP, semiconductor maximus singularium proprietatum electricorum cum aliis III-V materiis compositis, crystallizat in structura cubica thermodynamice stabilis ZB, est aurantiaco-flavus, materia cristalla semitransparens cum antro indirecto gap 2.26 eV (300K), quae est. summa puritatis gallium et phosphorum ex 6N 7N summatim perstringitur, et in crystallum unum per Liquid encapsulatum Czochralski (LEC) ars crevit.cristallum phosphidis Gallium sulphur vel tellurium ad n-typum semiconductorem obtinendum est, et zinci quasi conductivity p-typus adhuc fabricandi in laganum desideratum, quod applicationes in systemate optica, electronicis aliisque optoelectronicis machinis habet.Unum laganum Crystal GaP parari potest Epi-Paratus ad applicationem epitaxialem tuam LPE, MOCVD et MBE.Qualitas unius crystalli Gallium phosphidum GaP laganum p-type, n-type vel conductivity in Minmetalis occidentalis (SC) Corporation offerri potest pro magnitudine 2″ et 3» (50mm, 75mm diametri), orientatio <100>,<111 > Fine superficiei ut-cut, politum vel epi-paratum processum.

Applications

Cum humilis vena et alta efficacia in lucem emittens, Gallium phosphidum GaP laganum idoneum est ad systemata optica ostentationis ut low-cost rubra, aurantiaca, et viridis lucis emittens diodes (LEDs) et backlight flavo et viridi LCD etc. humilis ad medium claritatis, GaP late etiam adoptatur ut sensoriis infrarubeis fundamentalibus et camerarum vigilantia fabricandis.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

Gallium Phosphide GaP

Qualitas unius crystalli Gallium Phosphidis GaP laganum vel substratum p-type, n-type vel conductivity in Minmetalis occidentalis (SC) Corporation offerri potest in magnitudine 2″ et 3» (50mm, 75mm) in diametro, orientationis <100> , <111> cum cinematographico superficiali assectatorum, labili, anato, polito, epi- parato processit in lagano uno receptaculo in aluminio pera composito signato, vel ut definitio ad perfectam solutionem nativus.

Nec.	Items	Standard Specification
1	Gap Size	2"
2	Diam mm	50.8 ± 0.5
3	Incrementum Methodi	LEG
4	Conductivity Type	P-type/Zn-doped, N-type/(S, Si, Te)-doped, Un-doped
5	propensio	<1 1 1> ± 0.5°
6	Crassitudo μm	(300-400) ± 20
7	Resistentia Ω-cm	0.003-0.3
8	Plana propensio (OF) mm	16±1
9	Lepidium sativum Flat (IF) mm	8±1
10	Hall Mobility cm2/Vs min	100
11	Carrier Concentration cm^-3	(2-20) E17
12	Luxatio densitas cm^-2max	2.00E+05
13	Superficiem Conclusio	P/E, P/P
14	stipare	Uno laganum continens in aluminio pera composito obsignatum, cistae lobortis extra

Formulae lineares	GaP
M. Pondus	100.7
Crystal structure	Cadmiae blende
Aspectus	Orange solidum
Liquescens punctum	N/A
Ferveret	N/A
Densitas ad 300K	4.14 g/cm³
Energy Gap	2.26 eV
Resistentia intrinseca	N/A
CAS Number	12063-98-9
EC Number	235-057-2

Gallium Phosphide GaP Wafer, cum humilis vena et alta efficacia in lucem emittens, apta ad systemata optica exhibendi ut humilis sumptus rubra, aurantiaca et viridis levis emittens diodes (LEDs) et backlight flavo et viridi LCD etc. et ducta assulas fabricando cum humili ad medium. claritas, GaP etiam late adoptavit ut sensoriis infrarubeis fundamentalibus et camerarum fabricandis vigilantia.