Indium Oxide

Descriptio

In oxydatum India₂O₃vel indium trioxidum 99,99%, 99,995%, 99,999% et 99,9999%, micropulveris vel nanoparticulae solidi pulveris lutei, CAS 1312-43-3, densitatis 7.18g/cm³et prostrati circa MM °Cmateria ceramico-similis stabilis est in aqua insolubilis, in acido inorganico calido solubilis.Indium Oxide₂O₃est semiconductor functionis n-typus materialis cum resistivity minore, superior catalytica activitate et dilatatione cohortis ad applicationes optoelectronic. Indium Oxide₂O₃apud Minmetales occidentales (SC) Corporatio puritate 99,99%, 99,995%, 99,999% et 99,9999% magnitudine 2-10 micron vel -100 reticuli pulveris ac gradus nano liberari potest, 1 kg referta in utre polyethylene cum sacculo plastico obsignato; vel 1kg, 2kg 5kg, in compositis aluminii sacculi cum cistae lobortis extra, vel ut specificationes ad perfectas solutiones nativus.

Applications

Indium Oxide₂O₃usum late disseminatum in photoelectricis, gasis sensoriis, cinematographicis tenuibus ponderum infra-rubrum, catalysticum applicationis, proprium colorem vitrei additivi, gravidae alcalini, et altas venas electricas et contactus, tunicam speculi metallici tutelam, et pro semiconductore cinematographici electro-optici. In₂O₃principale est ad scopum ITO ad ostentationes, industria fenestras et photovoltaicas efficientes.Praeterea, In₂O₃est quasi elementum resistivum in ICs formare heterojunctiones cum materiis ut p-InP, n-GaAs, n-Si, et semiconductores alii.Interim, effectum superficiei habens, parvitatem et effectum quantitatis macroscopicae effosso;Nano In₂O₃principaliter est ad tunicas opticas et antistaticas, applicationes perlucidum tunicarum conductivorum.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

In₂O₃

Aspectus	Luteum pulveris
M. Pondus	277.63
Densitas	7.18 g/cm³
Liquescens punctum	MM°C
CAS Non.	1312-43-2

Nec.	Item		Standard Specification
1	Puritas In₂O₃≥		Impuritas (ICP-MS Test Report PPM Max each)
2	4N	99.99%	Cu/Al 20, Ti 3.0, Pb 4.0, Sn 7.0, Cd 8.0, Fe 15	Totalis ≤100
	4N5	99.995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1.0, Si 2.0, Fe/Ca 5.0	Totalis ≤50
	5N	99.999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0.5, Ca/Sn/Ti 1.0	Totalis ≤10
	6N	99.9999%	Praesto ad petitionem	Totalis ≤1.0
3	Magnitudo		2-10μm pulveris pro 4N 5N5 5N puritatis, -100mesh pulveris pro 6N puritatis
4	stipare		1kg in polyethylene utrem cum obsignatis plastic peram foras

Indium Oxide₂O₃ aut in India Trioxide₂O₃apud Minmetales occidentales (SC) Corporatio puritate 99,99%, 99,995%, 99,999% et 99,9999% 4N 4N5 5N 6N liberari potest in magnitudine 2-10 micron vel -100 pulveris reticuli et gradus nano, 1kg in utrem polyethylene refertum cum pera plastica obsignata, deinde cista lobortis foris, vel quasi specificata ad perfectas solutiones nativus.

Indium Oxide₂O₃usum late disseminatum in photoelectricis, gasis sensoriis, cinematographicis tenuibus ponderum infra-rubrum, catalysticum applicationis, proprium colorem vitrei additivi, gravidae alcalini, et altas venas electricas et contactus, tunicam speculi metallici tutelam, et pro semiconductore cinematographici electro-optici. In₂O₃principale est ad scopum ITO ad ostentationes, industria fenestras et photovoltaicas efficientes.Praeterea, In₂O₃est quasi elementum resistivum in ICs formare heterojunctiones cum materiis ut p-InP, n-GaAs, n-Si, et semiconductores alii.Interim, effectum superficiei habens, parvitatem et effectum quantitatis macroscopicae effosso, Nano In₂O₃principaliter est ad tunicas opticas et antistaticas, applicationes perlucidum tunicarum conductivorum.