Antimonide InSb

Descriptio

Indium Antimonide InSb, semiconductor globi III-V compositorum crystallinorum cum structura zinci cancellato, summa puritate Indiae et antimonii elementorum 6N 7N summatim, et per methodum VGF vel Liquidum encapsulatum Czochralski LEC methodum e multiplici zonae polycrystallinae ingotam compositam increvit, et quae postea in laganum et scandalum divisa et fabricari possunt.InSb est semiconductor directus transitus cum arta strophio 0,17eV in cella temperie, sensibilitas alta ad 1-5μm necem et ultra aula mobilitatis alta.Indium Antimonide InSb n-type, p-typus et semi-insulans conductivity in Minmetalis occidentalibus (SC) Corporation offerri potest magnitudine 1″ 2″ 3″ et 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) diametri, orientationis < 111> vel , et cum lagano conficitur ex as- sectis, lambentibus, signatis et politis.Indium Antimonide InSb scopo Dia.50-80mm cum un-doped n-type etiam in promptu est.Interim indium antimonidis InSb (multicrystal InSb) cum magnitudine globuli irregularis, seu blank (15-40) x (40-80) mm, et vectis rotundus D30-80mm, etiam nativus cum solutione perfecta roganti.

Applicationem

Indium Antimonide InSb unum specimen substratum est ad productionem plurium partium et machinarum publicarum artificum, ut solutionem imaginandi scelerisque provectus, systema FLIR, elementum aula et elementum effectivum magnetoricae, ultrarubrum homing systematis missilis gubernationis, photodetector sensoris valde-responsivum infraredum , alta praecisio magnetica et gyratoria resistentiae sensoris, arx planarum vestium, ac etiam ut radialis fons terahertz et in spatio astronomico ultrarubrum telescopio etc.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

Latium Antimonide

InSb *

Indium Antimonide Substrate(InSb Substratum, InSb Wafer) n-type vel p-type apud Minmetal occidentales (SC) Corporatio offerri potest pro magnitudine 1" 2" 3" et 4" (30, 50, 75 et 100mm) diametri, orientationis <111> vel <100>, et laganum superficies latrinae, signatae, politae conficit, Indium Antimonide Single Crystal talea (InSb bar Monocrystal) etiam suppleri potest postulanti.

Latium AntimonidePolycrystallina (InSb Polycrystallina, vel multicrystal InSb) cum magnitudine massae irregularis, vel blank (15-40)x(40-80)mm, etiam nativus ad solutionem perfectam postulant.

Interim Indium Antimonide Target (InSb Target) de Dia.50-80mm cum un-doped n-type etiam in promptu est.

Nec.	Items	Standard Specification
1	Indium Antimonide Substrate	2"	3"	4"
2	Diam mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Incrementum Methodi	LEG	LEG	LEG
4	Conductivity	P-type/Zn,Ge doped, N-type/Te-doped, Un-doped
5	propensio	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Crassitudo μm	500±25	600±25	800±25
7	Flat mm . propensio	16±2	22±1	32.5±1
8	Flat mm sativum	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitas cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped， 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 vel ≤8E13 P/Ge-doped
10	Carrier Concentration cm-3	6E133E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 vel <1E14 P/Ge-doped.
11	TTV μm max	15	15	15
12	Inclina μm max	15	15	15
13	Stamen μm max	20	20	20
14	Luxatio densitas cm-2 max	50	50	50
15	Superficiem Conclusio	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	stipare	Uno laganum vas in Aluminium sacco signatum.

Nec.	Items	Standard Specification
Nec.	Items	Indium Antimonide Polycrystalline	Indium Antimonide Target
1	Conductivity	Undoped	Undoped
2	Carrier Concentration cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilitas cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Magnitudo	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	stipare	In compositis aluminium pera, lobortis archa foris

Formulae lineares	InSb *
M. Pondus	236.58
Crystal structure	Cadmiae blende
Aspectus	Obscuris metallicis crystallis
Liquescens punctum	527 °C
Ferveret	N/A
Densitas ad 300K	5.78 g/cm³
Energy Gap	0.17 eV
Resistentia intrinseca	4E(-3) Ω-cm
CAS Number	1312-41-0
EC Number	215-192-3

Antimonide InSblaganum unum specimen substratum est ad productionem multorum partium et machinarum status artis, qualia sunt solutionis imaginationis scelerisque provectus, systema FLIR, elementum aulae et elementum effectus magnetoresistantiae, ratio ductu missilis ultrarubrum homing, photodetector sensorem altus-responsivum infraredum, altum -precision magnetica et gyratoria resistentiae sensoris, arx planae vestit, ac etiam accommodata ut fons radialis terahertz et in spatio telescopio astronomico infrarubro etc.