FZ NTD Silicon Wafer

Descriptio

FZ-NTD Silicon Wafer, known as Float-Zone Neutron Transmutatio Doped Silicon Wafer.Oxygeni gratis, summa puritas et summa resistivity pii b . obtineri potesty Float-zona FZ (Zone-Floating) cristallum incrementum, High resistivity FZ cristallus silicon saepe iacitur per Transmutationem Neutron Doping (NTD) processum, in quo irradiatio neutronis in undo fluitantia zonam siliconis facit ut silicon isotopes cum neutronibus capti et deinde in desideria desideria ad metam dopingem labefactandam.Resistentia resistentiae, per aequationem radiorum neutronis aequando, mutari potest sine dopantibus externis introducendis et propterea puritatem materialem praestans.FZ NTD lagana pii (Flat Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) premium technicae proprietates unionis uniformis dopingis, et resistentiae radialis uniformis distributio, gradus immunditiae infimae;et sublimis minoris aetatis ferebat vita.

Delivery

Sicut in mercatu ducens supplementum NTD siliconis ad applicationes potentias pollicendas, et post crescentem exigentiam lagana summae qualitatis, superior FZ NTD laganum pii.apud Minmetales occidentales (SC) Corporatio exhiberi potest clientibus nostris per orbem variarum molis ab 2″, 3″, 4″, 5″ et 6″ diametri (50mm, 75mm, 100mm, 125mm et 150mm) et amplis resistentiae 5 ad 2000 ohm.cm in <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> orientationes as-incisas, lambentes, signatae et politiarum in fasciculo capsulae spumae vel cassettae. aut ad perfectam solutionem nativus nominatio.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

FZ NTD Silicon Wafer

Sicut forum ducens supplementum FZ NTD siliconis ad applicationes potentias pollicendas, et post crescentem exigentiam laganae qualitatis summae, superior FZ NTD laganum siliconis apud Minmetales occidentales (SC) Corporation offerri potest nostris clientibus per orbem variarum molis ab 2 discurrentibus. ad 6″ diametro (50, 75, 100, 125 et 150mm) lateque resistentiae 5 ad 2000 ohm-cm in <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> orientationes cum lapped, signatas et politas conficio in sarcina cistae spumae vel cassettae, cistae lobortis extra, vel sicut specificatio ad perfectam solutionem nativus.

Nec.	Items	Standard Specification
1	Magnitudo	2"	3"	4"	5"	6"
2	Diameter	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	125±0.5	150±0.5
3	Conductivity	n-genus	n-genus	n-genus	n-genus	n-genus
4	propensio	<100>, <111>, <110>
5	Crassitudo μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 vel prout requiritur
6	Resistentia Ω-cm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 vel prout requiritur
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Arcum/Stamen μm max	30	30	30	30	30
10	Carriarius Vita μs	>200，>300，> CD vel quod erat faciendum
11	Superficiem Conclusio	Ut-cut，Lapped，Polished
12	stipare	Pyxide spuma intus, lobortis box foris.

Basic Material Parameter

Symbolum	Si
Numerus atomicus	14
Pondus atomicus	28.09
Elementum Categoriae	Metalloid
Coetus, Periodus, Clausus	14, 3, P .
Crystal structure	Diamond
Color	griseo
Liquescens punctum	1414°C
Ferveret	3265°C, 3538.15 K
Densitas ad 300K	2.329 g/cm³
Resistentia intrinseca	3.2E5 Ω-cm
CAS Number	7440-21-3
EC Number	231-130-8

FZ-NTD Silicon Waferprecipuum momentum est ad applicationes in potentia alta, technologiarum detectorum et in technologia semiconductorium quae laborant in extrema condicione vel ubi humilitas resistentiae variatio per laganum requiritur, ut porta-turn-off thyristor GTO, inductio static thyristor SITH, gigas transistor GTR, porta insulata bipolaris transistor IGBT, extra HV diode PIN.FZ NTD n-typus laganum pii laganum etiam est sicut materia principalis functionis ad varias frequentias convertentium, emendantium, magnarum potentiarum elementorum, novarum potentiarum electronicarum machinarum, machinarum photoelectronicarum, siliconis SR rectificantis, siliconis imperium SCR, et partium opticorum ut lentium ac fenestrarum. for terahertz applicationes.