CZ Silicon Wafer

Descriptio

CZ Single Crystal Silicon Wafer ab uno cristallo siliconis incisum divisa est methodo incrementi Czochralski CZ trahente, quae late pro cristallo silicone adhibita incrementa magnarum cylindricorum ingomentorum adhibita in industria electronicorum ad machinas semiconductores faciendas est.In hoc processu, gracili semen siliconis crystallini cum certa intentione tolerantiarum in lavacrum Pii fusile immittitur, cuius temperatura praecise regitur.Semen cristalli lente sursum evulsum a liquefactione admodum moderata, solidificatio crystallina atomorum ex periodo liquido interfaciente occurrit, semen cristallum et uas in contrarias partes vertuntur in hoc processu recedente, magnum unum creant. pii crystalli cum semine perfecto cristallinae structurae s.

Per campum magneticum applicatum ad regulam CZ trahentis, magnetic-agri adductus Czochralski MCZ unius cristalli siliconis est comparativus impuritatis inferioris concentrationis, plani oxygenii inferioris et inordinationis, ac resistentiae uniformis variationis quae bene facit in technologia electronicarum partium et machinis. fabricatio in electronic vel photovoltaic industries.

Delivery

CZ vel MCZ Singulus Crystal Silicon Wafer n-type et conductivity p-typus apud Minmetales occidentales (SC) Corporation liberari potest magnitudine 2, 3, 4, 6, 8 et 12 pollicis diametri (50, 75, 100, 125; 150, 200 et 300mm), orientatio <100>, <110>, <111> cum meta superficiei lambentium, signatae et politae in sarcinis cistae spumae vel cassettae cum cistae lobortis extra.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer est materia fundamentalis in productione circulorum integratorum, diodi, transistorum, partium discretorum, in omnibus generibus instrumentorum electronicorum et semiconductorum machinarum, necnon substratum in processu epitaxiali, SOI laganum subiectum vel semi-insulantem laganum compositum, praesertim magnum. diameter 200mm, 250mm et 300mm optimae sunt pro fabricandis machinis ultra valde integratis.Unius Silicon Crystal etiam pro cellulis solaris in magna quantitate ab industria photovoltaica adhibetur, quae structura paene perfecta crystalli summam lucem ad electricitatis conversionis efficientiam reddit.

Nec.	Items	Standard Specification
1	Magnitudo	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diam mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5	200±0.5	300±0.5
3	Conductivity	P vel N vel un-doped
4	propensio	<100>, <110>, <111>
5	Crassitudo μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 vel prout requiritur
6	Resistentia Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 etc
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	Prima Flat / mm Longitudo	Ut SEMI vexillum vel quod erat faciendum
9	Secundarium Flat / Longitudo mm	Ut SEMI vexillum vel quod erat faciendum
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Arcum & Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Superficiem Conclusio	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	stipare	Spuma capsa vel cassetta intus, lobortis box foris.

Symbolum	Si
Numerus atomicus	14
Pondus atomicus	28.09
Elementum Categoriae	Metalloid
Coetus, Periodus, Clausus	14, 3, P .
Crystal structure	Diamond
Color	griseo
Liquescens punctum	1414°C
Ferveret	3265°C, 3538.15 K
Densitas ad 300K	2.329 g/cm³
Resistentia intrinseca	3.2E5 Ω-cm
CAS Number	7440-21-3
EC Number	231-130-8

CZ or MCZ Single Crystal Silicon Wafern-type and p-type conductivity in Minmetals (SC) Corporation liberari potest in magnitudine 2, 3, 4, 6, 8 et 12 pollicis diametri (50, 75, 100, 125, 150, 200 et 300mm); orientatio <100>, <110>, <111> cum cinematographicis superficiebus ascisis, lambentibus, signatis et politis in sarcinis cistae spumae vel cassettae cum cistae lobortis extra.