Pii Carbide SiC

Descriptio

Silicon Carbide Wafer SiC, Durissime, synthetice crystallinam compositam ex Pii et carbonis per methodum MOCVD productam, ostenditqueunicum suum latum band gap et aliae notae faventes humiles coëfficientes expansionis scelerisque, altioris temperaturae operativae, bonae caloris dissipatio, inferiorum commutationes et detrimenta conductionis, acrius efficientis, magna conductivity scelerisque et validior campi electrici vires naufragii, necnon currentes magis contracti. conditio.Silicon Carbide SiC in Minmetalis occidentalibus (SC) Corporatio provideri potest pro magnitudine 2″ 3' 4" et 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) diametri, cum n-type, semiinsulante vel phantasmate lagano industrialis. and laboratory application.Any customized specification is for the perfect solution to our customers worldwide.

Applications

Summa qualitas 4H/6H Silicon Carbide SiC laganum perfectum est ad fabricam multorum incisorum superiorum celeriter, summus temperatura & alta intentione electronicarum machinarum quales Schottky diodes & SBD, summus potentia mutandi MOSFETs & JFETs, etc. materia etiam desiderabilis in investigatione & progressu transistorum insulatorum bipolaris et thyristorum.Ut praeclarum novae generationis semiconducting materia, Silicon Carbide SiC laganum etiam efficit calorem efficientem diffundentem in summa potentia LEDs componentibus, vel sicut stabilis et popularis subiectum crescendi GaN iacuit in favorem explorationis scientificae futurae iaculis.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

Pii Carbide SiC

Pii Carbide SiCapud Minmetales occidentales (SC) Corporation provideri potest magnitudine 2″ 3' 4" et 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) diametri, cum n-type, semi-insulante vel laganum phantasticum pro applicatione industrialis et laboratorio. .Qualibet specificatio nativus est ad perfectam solutionem clientibus nostris per orbem.

Formulae lineares	Sic
M. Pondus	40.1
Crystal structure	Wurtzite
Aspectus	Firmus
Liquescens punctum	3103±40K
Ferveret	N/A
Densitas ad 300K	3.21 g/cm³
Energy Gap	(3.00-3.23) eV
Resistentia intrinseca	>1E5 Ω-cm
CAS Number	409-21-2
EC Number	206-991-8

Nec.	Items	Standard Specification
1	SIC Size	2"	3"	4"	6"
2	Diam mm	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	Incrementum Methodi	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Conductivity Type	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI'
5	Resistentia Ω-cm	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	propensio	0°±0.5°;4.0° versus <1120>
7	Crassitudo μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Prima Flat Location	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Prima plana Longitudo mm	16±1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5±2.5
10	Secundarium Flat Location	Pii facies sursum: 90°, horologico-prima plana ±5.0°
11	Secundarium Flat Longitudo mm	8±1.7	11.2±1.5	18±2	22±2.5
12	TTV μm max	15	15	15	15
13	Inclina μm max	40	40	40	40
14	Stamen μm max	60	60	60	60
15	Ora exclusio mm max	1	2	3	3
16	Micropipe densitas cm-2	<5, industriae;<15, lab;<50, phantasma
17	Luxatio cm-2
18	Superficies asperitas nm max	1 (Politum), 0.5 (CMP)
19	Cracks	Nulla, pro gradu industriae
20	Hexagonal Plates	Nulla, pro gradu industriae
21	Exasperat	≤3mm, longitudo totalis minus quam diametro subiecta
22	Ora Chips	Nulla, pro gradu industriae
23	stipare	Uno vase lagano consignato in alumine sacculo composito.

Pii Carbide SiC 4H/6Hlaganum quale perfectum est ad fabricationem acuminis plurium superiorum celeriter, summus temperatus & summus intentionum electronicarum cogitationum quales Schottky diodes & SBD, summus potentia mutandi MOSFETs & JFETs, etc. Est etiam materia desiderabilis in investigationes & progressionem transistorum insulatorum bipolaris et thyristorum.Ut praeclarum novae generationis semiconducting materia, Silicon Carbide SiC laganum etiam efficit calorem efficientem diffundentem in summa potentia LEDs componentibus, vel sicut stabilis et popularis subiectum crescendi GaN iacuit in favorem explorationis scientificae futurae iaculis.