Descriptio
Cadmium Arsenide Cd3As25N 99.999%,griseo colore, densitate 6.211g/cm3, punctum liquescens 721°C, moleculae 487,04, CAS12006-15-4, in acido nitrico HNO solutum.3 et stabilitas in aere, est summa compositio summae puritatis, cadmia et arsenicum.Cadmium Arsenide semimetal inorganicum in II-V familia est et effectum Nernst exhibet.Cadmium Arsenide crystallum a Bridgman auctum methodo auctum, mole Dirac semimetalis structurae non-stratum, est semiconductor N-type II-V degener, vel hiatus semiconductor angustus cum mobilitate ferebat, massa humilis efficax et conductio valde non parabolica. cohortis.Cadmium Arsenide Cd3As2 seu CdAs solida crystallina est ac magis ac magis applicata in semiconductore et in agro photo optico ut in detectoribus ultrarubrum utens effectum Nernst, in pressione sensoriis tenuibus pelliculis dynamicis, laseris, diodis lucis emittendis LED, quantis punctis, ad magnetoresistors et photodetectors faciunt.Arsenide composita ex Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs et Niobium Arsenide NbAs seu Nb.5As3plus applicationem invenimus sicut materia electrolytica, materia semiconductor, QLED ostentatio, campus IC et alia materialia.
Delivery
Cadmium Arsenide Cd3As2Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs et Niobium Arsenide NbAs seu Nb.5As3ad Minmetales occidentales (SC) Corporatio cum 99,99% 4N et 99,999% 5N puritas in magnitudine polycrystallini micropowder -60mesh, -80mesh, nanoparticuli, fragmentum 1-20mm, granulum 1-6mm, FRUSTUM, blank, mole crystalli et crystalli unius etc. c., vel sicut specificatio nativus ad perfectam solutionem pervenire potest.
Technical Specification
Arsenide Composita praecipue elementa metallica et mixta metalloidea spectant, quae compositionem stoichiometricam habent, mutato quodam intra ambitu ad solutionem solidam compositae fundatam.Compositum inter-metallicum praecipuae eius proprietatibus inter metallum et ceramicum est, et pars magna fiet novarum materiarum structurarum.praeter Gallium Arsenide Gaas, Indium Arsenide InAs et Niobium Arsenide NbAs seu Nb.5As3possunt etiam componi in modum pulveris, granuli, fragmenti, vectis, crystalli et substratae.
Cadmium Arsenide Cd3As2Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs et Niobium Arsenide NbAs seu Nb.5As3ad Minmetales occidentales (SC) Corporatio cum 99,99% 4N et 99,999% 5N puritas in magnitudine polycrystallini micropowder -60mesh, -80mesh, nanoparticuli, fragmentum 1-20mm, granulum 1-6mm, FRUSTUM, blank, mole crystalli et crystalli unius etc. c., vel sicut specificatio nativus ad perfectam solutionem pervenire potest.
Nec. | Item | Standard Specification | ||
Puritas | Impuritatem PPM Max uterque | Magnitudo | ||
1 | Cadmium ArsenideCd3As2 | 5N | Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0 | -60mesh -80mesh pulveris, 1-20mm fragmentum, 1-6 mm granulum |
2 | Gallium Arsenide GaAs | 5N 6N 7N | Gaas Compositio est available ad petitionem | |
3 | Niobium Arsenide NbAs | 3N5 | NbAs Compositio est available ad petitionem | |
4 | Arsenide InAs | 5N 6N | InAs Compositio est available ad petitionem | |
5 | stipare | 500g vel 1000g in polyethylene lagena vel composita pera, lobortis archa foris |
Gallium Arsenide Gaas, a III-V composita materia semiconductoris directae gap cum zinci mixtionis cristallinae structura, summa puritate gallium et arsenicum elementis componitur, et in laganum et blank scalpi et fingi potest ex unico cristallino instrumento a Verticali Gradiente Congelo (VGF) coalescente. .Gratias ad aula sua saturating mobilitatem et altitudinem potentiae & temperaturae stabilitatis, illae RF compositae, proin ICs & LED cogitationes ab ea factae omnes magnas effectus in suis communicationis frequentia magnas perveniunt.Interea efficientia eius UV lucis transmissionis permittit etiam eam esse probatam materiam fundamentalem in industria Photovoltaica.Gallium Arsenide GaAs laganum in Minmetalis Occidentis (SC) Corporatio usque ad 6" vel 150mm diametro cum 6N 7N puritate tradi potest, et Gallium Arsenide substratum mechanicum etiam in promptu sunt. Interim Gallium Arsenide talea polycrystallina, massa et granulum cum puritate etc. de 99,999% 5N, 99,9999% 6N, 99,99999% 7N provisum ex Minmetalis occidentalibus (SC) Corporation etiam in promptu sunt vel sicut specificatio nativus postulantis.
Arsenide InAs Latium, directo-gap semiconductor cristallens in structura zinci mixti, composita per puritatem indium et elementa arsenica alta, per methodum liquidam encapsulatam Czochralski (LEC) divisa, in laganum ab unico cristallino ingore divisa et fabricari potest.Ob densitatem demissam densitatem sed cancellatam constantem, InAs substrata idealis est ut heterogenea InAsSb, InAsPSb & InNAsSb structurae heterogeneae, seu structurae superlattice AlGaSb.Ideo magni ponderis munus agit 2-14 µm fluctuantem ultrarubrum emittens machinas fabricandi.Praeter, mobilitas suprema aula sed energiae strictae fasciae InAs etiam permittit fieri ut magnae subiectae partes aulae vel aliae laser & radialem machinas fabricandi fiant.Indium Arsenide Inas apud Minmetales occidentales (SC) Corporatio cum puritate 99,99% 4N, 99,999% 5N, 99.9999% 6N liberari potest in subiecto 2" 3" 4" diametro. Interim Indium Arsenide massa polycrystallina ad Minmetalia occidentalia (SC. ) Corporatio etiam in promptu est vel ut nativus specificatio postulante.
Niobium Arsenide Nb5As3 or NbAs,cristallino albo vel griseo solido, CAS No.12255-08-2, formula ponderis 653,327 Nb.5As3et 167,828 NbAs, est compositio binaria Niobii et Arsenici cum compositione NbAs, Nb5As3, NbAs4 ...etc methodo CVD summatim perstringitur, solidi illi salia altissimas vires habent obliquas et toxici ob insitam toxicitatem arsenici.Princeps temperatus scelerisque analysis ostendit NdAs exhibitum arsenicum volatilisation in calefactione. Niobium Arsenide, semimetal Weyl, genus est materiae semiconductoris et photoelectrici in applicationibus pro semiconductore, photo optico, laser emisso diodes, quantis punctis, opticis et pressuris sensoriis, ut intermediis, fabricare superconductorem etc. Niobium Arsenide Nb.5As3vel NbAs apud Minmetales occidentales (SC) Corporatio cum puritate 99.99% 4N liberari potest in figura pulveris, granuli, massae, scopo et mole crystalli etc, vel ut specificatio nativus, quae in bene clauso, levi repugnante servari debet. siccum et refrigerium.
Procurement Tips
Cd2As3 Nb2As3Gaas InAs