Cadmium Manganese Telluride CdMnTe 5N

Descriptio

Cadmium Manganese Telluride CdMnTe vel CMT99,999% 5N puritas, (Cd*_0.8-0.9Mn_0.1-0.2Te, Cd_0.63Mn_0.37Te vel alia ratione nuclei Cd_1-xMn_xTe), componitur ex cadmia, manganese et tellurio, et vitreo in hexagonalem structuram.Cadmium Manganese Telluride CdMnTe (Cd_1-xMn_xTe) materia est pollicens pro cella temperatura x-radii et applicationum deprehensionis gamma-radii.Cum lato bandae spacio ab 1.7-2.2 eV semiconductor cristallus eV fluitantis methodi FZM modificato increvit, seu Methodus calefacientis THM iter seu methodi Verticalis Bridgman VB, altam resistentiam attingit, magnum volumen unum cristallum et altum. mobilitate-vita crystallina, quae diversam Mn axialem distributionem distinguit, immunditias concentrationes, resistivity, defectus liberorum, Aula effectus et spectris responsionis industria.Conductio THM crystalli concretae debilis est N-type et VB est P-typus.Cadmium Manganese Telluride apud Minmetales occidentales (SC) Corporation cum 99.999% 5N puritas liberari potest magnitudine pulveris, granuli, fragmentum 1-20mm fragmentum, FRUSTUM, discus D32, D50 et talea cum aluminio composito vacuo involucrum sacculi, vel quasi specificatio nativus ad perfectam solutionem pervenire.cum vacuo composito aluminium sarcina sacculi.

Applications

Unius crystallus Cadmii-Manganese-Telluride etiam exhibet effectus tam Pockels quam Faraday ampliores ut materiam efficientem pro isolatoris opticis ad longiora aequalitatem, est materia semiconductoris magnetica diluta quae fundamentum multis momentis machinis format ut detectores IR, cellulas solares , campum magneticum sensorem, visibilem et prope IR lasers, et ad usum cellularum cinematographicarum cinematographicarum, modulatoris electro-optici, et alia materia photovoltaica optica.In genere, nonnullas utilitates potentiales super CdZnTe et valores praebet ut jocus detector materiam ad detectorem nota CdZnTe.