Cadmium Sulfide

Descriptio

Cadmium Sulfide CdS99,999% 5N or Cadmium Sulphide 99,999% 5N puritas, pondus hypotheticum 144,476, punctum liquescens 980°C, punctum fervens 1750°C, densitas 4.826g/cm³, CAS 1306-236, Materia solida luteo-brunnea aquarum insolubilis, binaria composita puritatis altae Cadmii et Sulphuris elementa crystallentia in structura sphalerita cubica vel hexagonali wurtzite, quae a Verticali Gradiente Congelo VGF crevit methodo.Praeclara est materia photoconductoris cristallinae crescentis technicis melioribus effecta in magnis crystallis simplicibus cum structura cristalli perfectiore et puritate altiori quaesita per zonam expolitione cadmi et sulphuris.Crystalla creverunt ex liquefactione in apparatu magno temperatura et alto presso, et per methodos ultrasonica incidendi utiliter informanda sunt.P-type CdS crystallum a gravibus aeris doping productum est.

Applications

Cadmium Sulfide CdS 99,999% 5N praecipue adhibetur in productione cellarum photoelectricarum, photoresistoris, pulveris luorescentis, aliorumque elementorum et machinarum photovoltaicarum, ut photocellorum, gamma detectorum, generantium solis, photorectiariorum, et in partibus electronicis, in medicina, in pingis. Cadmium sulfides est quaedam materia semiconductoris cum actuo photocatalytico, quae materiam compositam cum diversis generibus materiae formare potest ad facultatem photocatalyticam promovendam, dum effectum corrosionis lumen minuit, late in fabricatione detectorum UV, crystallis piezoelectricis, photoresistoribus inducitur. machinis laseris et alias machinas ultrarubrum.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

CdS

Cadmium Sulfide CdS 5N 99.999%apud Western Minmetales (SC) Corporation liberari potest magnitudine pulveris -60mesh, -80mesh, fragmentum 1-20mm, laganum crystallum rotundum vel substratum 2 pollicis et quadrati vestis 10×10 mm, vel sicut specificatio nativus ad perfectam solutionem pervenire potest.

Mercimonia	Items	Standard Specifications
Unius Crystal Cadmium Sulfide CdS	Figura	Substratum	Blank
	Magnitudo	D50.8mm Substratum	10x10mm Quadratus
	Conductivity	N-genus / P doped vel Semi-insulating
	propensio	<001>	<001>
	Crassitudo	500±15μm	(250-300)±10
	Resistentia	<5Ω-cm	<5 or >10⁶Ω-cm
	Infrared Transmittance	>71%	>71%
	Aula Mobility	2x10^-2cm²/Vs	2x10^-2cm²/Vs
	stipare	Uno vase intus laganum, cistam cistam lobortis foris.
Poly-Crystalline Cadmium Sulfide CdS	Puritas	5N 99.999% Min
	Impuritas PPM max uterque	Mg/Fe/Ni/Cu/Al/ Ca/Sn/Pb/Bi/Zn 1.0, Cr/Sb/Ag 0.5
	Magnitudo	-60mesh, -80mesh pulveris, 1-20mm massae irregulares
	stipare	Articulo composito aluminium pera cum lobortis archa foris

Cadmium Sulfide CdS 99.999% 5Nadhibetur praesertim in productione in cellulis photoelectricis, photoresistoris, pulvere luorescentis, aliisque elementis photovoltaicis et machinis ut photocellorum, gammae detectorum, generantium solarium, photorectiariorum, et in partibus electronicis, in medicina, in cadmia sulfidei pingit etc. genus semiconductoris materiae cum activitate photocatalytica, quae materiam compositam cum diversis generibus materiae formare potest ad facultatem photocatalyticam promovendam, dum lumen corrosionis effectum minuit, late adhibetur ad fabricationem detectorum UV, piezoelectricae crystallorum, photoresistorum, laserorum machinis et aliis infrarubeis. cogitationes.