Gallium Antimonide GaSb

Descriptio

Gallium Antimonide GaSb, semiconductor globi III-V cum structura zinci cancellato composita, summae puritatis gallium et antimonii elementorum 6N 7N summatim cristallum per methodum LEC e directione polycrystallinae regulae seu VGF methodo cum EPD<1000cm constricta, in crystallum crevit.^-3.GaSb laganum in secari et fabricari potest postea ab uno cristallino principio cum alta parametri electrici uniformitate, unica et constanti cancellorum structurarum, ac defectus densitatis humilis, index refractivus supremus prae aliis compositis non-metallicis.GaSb discursum esse potest cum lata electione in intentione exacta vel off intentione, intentione humili vel alta doped, bona superficiei finiendae et pro incremento MBE vel MOCVD epitaxiali.Gallium Antimonide substratum adhibitum est in applicationibus maxime foto-opticis et optoelectronicis incisis, sicut detectores fabricationes photographicae, detectores ultrarubrum longae vitae, summae sensus et constantiae, componentia photoresista, LEDs et lasers, transistores, cellulae thermarum photovoltaicae. et systemata thermo-photovoltaica.

Delivery

Gallium Antimonide GaSb apud Minmetales occidentales (SC) Corporatio offerri potest cum n-type, p-typo et semiinsulante conductivity non soluto in magnitudine 2" 3" et 4" (50mm, 75mm, 100mm) diametri, orientationis <111> vel <100>, et cum lagano conficitur sicut praecisus, signatus, politus vel princeps qualitas epitaxia parata finitur.Omnes segmentae singillatim laser ad identitatem scripti sunt.Interim fragmentum polycrystallinum gallium antimonide GaSb etiam ad solutionem perfectam petentibus nativus est.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

Gallium Antimonide

GaSb

Gallium Antimonide GaSbsubstrata adhibetur in applicationibus maxime foto-opticis et optoelectronicis incisis, sicut detectores fabricationes photographicae, detectores ultrarubrum cum longa vita, summa sensibilitas et commendatio, pars photoresista, LEDs et lasers, transistores, cellulae thermarum photovoltaicae et thermo systemata -photovoltaic.

	Items	Standard Specification
1	Magnitudo	2"	3"	4"
2	Diam mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Incrementum Methodi	LEG	LEG	LEG
4	Conductivity	P-type/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	propensio	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Crassitudo μm	500±25	600±25	800±25
7	Flat mm . propensio	16±2	22±1	32.5±1
8	Flat mm sativum	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitas cm2/Vs	200-3500 aut quod erat faciendum
10	Carrier Concentration cm-3	(1-100) E17 vel quod erat faciendum
11	TTV μm max	15	15	15
12	Inclina μm max	15	15	15
13	Stamen μm max	20	20	20
14	Luxatio densitas cm-2 max	500	1000	2000
15	Superficiem Conclusio	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	stipare	Uno laganum vas in Aluminium sacco signatum.

Formulae lineares	GaSb
M. Pondus	191.48
Crystal structure	Cadmiae blende
Aspectus	Gray crystallinum solidum
Liquescens punctum	710°C
Ferveret	N/A
Densitas ad 300K	5.61 g/cm³
Energy Gap	0.126 eV
Resistentia intrinseca	1E3 Ω-cm
CAS Number	12064-03-8
EC Number	235-058-8

Gallium Antimonide GaSbapud Minmetales occidentales (SC) Corporatio offerri potest cum n-type, p-typo et semiinsulante conductivity indistincto in magnitudine 2" 3" et 4" (50mm, 75mm, 100mm) diametri, orientationis <111> vel <100 >, et cum lagano confecto ex as- sectis, adservatis, politis vel alta qualitate epitaxia parata finitur.Omnes segmentae singillatim laser ad identitatem scripti sunt.Interim fragmentum polycrystallinum gallium antimonide GaSb etiam ad solutionem perfectam petentibus nativus est.