Zirconium Oxide ZrO₂ |Hafnium Oxide HfO₂ 99.9%

Descriptio

Zirconium Oxide ZrO₂aut Zirconium Dioxide in aqua solubile ac leve solutum in HCl et HNO.₃, punctum 2700° liquescens, densum 5.85g/cm³, cristallum inodorum est cum puncto summo liquefacto , magna resistivity , altae refractivae index et humilis scelerisque expansio coëfficientium proprietatum , quae est magna caliditas materiae repugnantis , materiae insulae ceramicae , sunscreens ceramicae et rudis materiae pro gemmis artificialibus .ZrO₂bona generalia sunt, quae in loco frigido, sicco et bene ventilato serventur, continentem arcte occlusam et ab alcali firmo auferant.Zirconium Oxide ZrO₂Communiter adhibetur ad zirconium et zirconium metalla componenda, frequentia ceramicorum, materiarum laesivarum, pigmentorum ceramicorum, materia refractoria et vitri optici.

Delivery

Zirconium Oxide seu Zirconium Dioxide ZrO₂puritate ZrO₂+HfO₂≥ 99.9% et Hafnium Oxide HfO₂puritate HfO *₂+ZrO₂≥99.9% apud Minmetales occidentales (SC) Corporation liberari potest magnitudine pulveris 60-150, 25kg in sacculo plastico cum tympano cardboard foris, vel specificatione nativus.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

ZrO₂& HfO₂

Zirconium Oxide seu Zirconium Dioxide ZrO₂ puritate ZrO₂+HfO₂≥ 99.9% et Hafnium Oxide HfO₂puritate HfO *₂+ZrO₂≥99.9% apud Minmetales occidentales (SC) Corporation liberari potest magnitudine pulveris 60-150, 25kg in sacculo plastico cum tympano cardboard foris, vel specificatione nativus.

Items	HfO₂	ZrO₂
Aspectus	Alba pulveris	Alba pulveris
M. Pondus	210.49	123.22
Densitas	9.68 g/cm³	5.85 g/cm³
Liquescens punctum	2758 °C	MMDCC °C
CAS Non.	12055-23-1	1314-23-4

Nec.	Item			Standard Specification
1	Puritas			Immunditia (PCT Max each)	Magnitudo
2	ZrO2	ZrO₂+HfO₂≥	99.9%	Si 0.01, Fe 0.001, Ti/Na 0.02, U/Th 0.005	60-150mesh
3	HfO2	HfO₂+ZrO₂≥	99.9%	Fe/Si 0.002, Mg/Pb/Mo 0.001, Ca/Al/Ni 0.003, Ti 0.007, Cr 0.005	100mesh
4	stipare			25kgs in plastic peram cum cardboard tympanum foras

Hafnium Oxide HfO₂aut Hafnium Dioxide mixtum ex Hafnis, HfO .₂+ZrO₂≥99.9%, punctum liquescens 2758°C, densum 9.68g/cm³aqua insolubilis, HCl et HNO .₃sed solutum in H*₂SO₄et HF.Hafnium Oxideum HfO₂Materia ceramica est cum lato strophio strophio et alte dielectric assidue.Hafnium Oxide HfO₂Verisimile est portae insulator silicae metallicae oxydi semiconductoris campi effectus fistulae reponere ad magnitudinem termini problema progressionis traditae SiO/Si structurae in MOSFET solvendae, ideo materia in campo microelectronic adhibito provecta est.Etiam late adhibetur ad hafnium metallum, hafnium compositiones, materiam refractoriam, materiam tunicae radioactivae, et catalyst.