Arsenide InAs

Descriptio

Indium arsenidum InAs crystallum est mixtum semiconductor globi III-V perstringitur saltem 6N 7N purum Indium et elementum arsenicum et excrevit unicum crystallum ab VGF vel Liquid encapsulatum Czochralski (LEC) processus, species coloris grisei, cristallus cubicus cum structura zinci. 942 °C.Spatium cohortis arsenidis indium directum transitum idem cum gallium arsenide est, et latitudo vetiti cohortis 0.45eV (300K).InAs crystallus altam habet uniformitatem parametri electrici, cancellos assiduos, mobilitatem altam electronicam, ac densitatem infimam defectus.cylindricum InAs cristallum a VGF vel LEG increvit, in laganum quasi incisum, incisum, politum vel epitaxialem incrementi MBE vel MOCVD aptatum, fingi potest.

Applications

Indium laganum crystallinum arsenidum magnum est subiectum ad faciendum Aulae machinas et campum magneticum sensorem ad mobilitatem summi aulae sed energiae angustae fasciae, materia idealis ad detectores ultrarubrum construendi cum necem extensionis 1-3.8 µm adhibitis in applicationibus altioribus potentiae. ad cella temperies, ac medium adsum ultrarubrum super cancellos laserarum, LEDs medius fabricandi machinas pro suo 2-14 µm necem iugi.Praeterea InAs specimen subiectum est ad ulteriora fulcienda heterogenea InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb seu AlGaSb super cancellos structurae etc.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

Indium Arsenide

InAs

Arsenide Crystal WaferSubiectum magnum est ad fabricandum Aula machinas et campum magneticum sensorem pro sua supremi aulae mobilitate sed energiae angustae bandgap, materia optima ad detectores constructionis infrarubrum cum necem extensionis 1-3.8 µm adhibitis in applicationibus ad cella temperiei altioris potentiae; tum medium necem ultrarubrum super cancellos laserarum, medium ultra LEDs machinas fabricandi pro 2-14 µm necem.Praeterea InAs idealis substratum est ut heterogenea InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb seu AlGaSb super cancellos structurae etc.

Nec.	Items	Standard Specification
1	Magnitudo	2"	3"	4"
2	Diam mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Incrementum Methodi	LEG	LEG	LEG
4	Conductivity	P-type/Zn-doped, N-type/S-doped, Un-doped
5	propensio	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Crassitudo μm	500±25	600±25	800±25
7	Flat mm . propensio	16±2	22±2	32±2
8	Flat mm sativum	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitas cm2/Vs	60-300, ≥2000 vel ut requiritur
10	Carrier Concentration cm-3	(3-80) E17 vel ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Inclina μm max	10	10	10
13	Stamen μm max	15	15	15
14	Luxatio densitas cm-2 max	1000	2000	5000
15	Superficiem Conclusio	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	stipare	Uno laganum vas in Aluminium sacco signatum.

Formulae lineares	InAs
M. Pondus	189.74
Crystal structure	Cadmiae blende
Aspectus	Gray crystallinum solidum
Liquescens punctum	(936-942)°C
Ferveret	N/A
Densitas ad 300K	5.67 g/cm³
Energy Gap	0.354 eV
Resistentia intrinseca	0.16 Ω-cm
CAS Number	1303-11-3
EC Number	215-115-3

Arsenide InAsapud Minmetales occidentales Corporation (50mm, 75mm, 100mm) suppleri potest vel cristallum incisum, signatum, politum, vel epi- laganum in magnitudine 2" 3" et 4" (50mm, 75mm, 100mm) diametri, et p-typus, n-typus vel conductivity un-seu et <111> vel <100> propensio.Lorem specificatio est perfecta solutio clientibus nostris per orbem terrarum.