India Phosphide InP

Descriptio

India Phosphide InP,CAS No.22398-80-7, punctum liquescens 1600°C, compositum semiconductorem binarium familiae III-V, centrum cubicae "zinci mixtionis" crystalli structurae, idem cum plerisque semiconductoribus III-V, ex summatim constringitur. 6N 7N princeps puritatis latii et elementi phosphori, et in crystallum unum crevit ars per LEG vel VGF.Indium phosphidis crystallum deponitur ut n-typus, p-typus vel semi-insulans conductivity ad laganum fabricationis ulterioris usque ad 6″ (150 mm) diametrum, quod lineamenta lineae rectae hiatus, superior mobilitas electronicorum et foraminum et scelerisque efficientium conductio.Indium Phosphidis InP Wafer primum seu experimentum gradus in Minmetalis occidentalibus (SC) Corporatio offerri potest cum p-type, n-type et semi-insulating conductivity in magnitudine 2" 3" 4" et 6" (usque ad 150mm) diametri; orientatio <111> vel <100> et crassitudo 350-625um cum meta superficiei notatae et politae seu processus Epi-parati.Interim Indium Phosphidis Single Crystal ingot 2-6″ petitio praesto est.Polycrystallinum Indium Phosphidis InP vel Multi-crystal InP ingot magnitudine D (60-75) x Longitudo (180-400) mm e 2.5-6.0kg cum tabellario concentrationis minoris quam 6E15 vel 6E15-3E16 praesto est.Any customized specification available upon request to achieve the perfect solution.

Applications

Indium laganum Phosphide InP late pro fabricatione partium optoelectronicarum, alta potentia et alta frequentia electronicarum machinarum, substrata est pro epitaxial indium-gallium-arsenide (InGaAs) substructum machinis opto-electronicis.Indium Phosphide etiam in fabricatione est ad lumen maxime promittentes fontes in fibris opticis communicationis, proin potentiae principium machinis, proin amplificatores et portae FETs machinas, summus velocitas modulatores et detectores phoenica, et navigationis satelles et cetera.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

India Phosphide InP

India Phosphide Single Crystallaganum (InP crystallum seu laganum) apud Minmetales occidentales (SC) Corporatio offerri potest cum p-type, n-type et semi-insulante conductivity in magnitudine 2" 3" 4" et 6" (usque ad 150mm) diametri; orientatio <111> vel <100> et crassitudo 350-625um cum meta superficiei notatae et politae seu processus Epi-parati.

India Phosphide Polycrystallinavel Multi-Crystal ingot (InP poly ingot) magnitudine D(60-75) x L(180-400) mm e 2.5-6.0kg cum tabellario concentrationis minoris quam 6E15 vel 6E15-3E16 praesto est.Any customized specification available upon request to achieve the perfect solution.

Nec.	Items	Standard Specification
1	India Phosphide Single Crystal	2"	3"	4"
2	Diam mm	50.8±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Incrementum Methodi	VGF	VGF	VGF
4	Conductivity	P/Zn-doped, N/(S-doped or un-doped), Semi-insulating
5	propensio	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Crassitudo μm	350±25	600±25	600±25
7	Flat mm . propensio	16±2	22±1	32.5±1
8	Flat mm sativum	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitas cm2/Vs	50-70, >2000, (1.5-4)E3
10	Carrier Concentration cm-3	(0.6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Inclina μm max	10	10	10
13	Stamen μm max	15	15	15
14	Luxatio densitas cm-2 max	500	1000	2000
15	Superficiem Conclusio	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	stipare	Uno vase lagano consignato in alumine sacculo composito.

Nec.	Items	Standard Specification
1	India Phosphide Ingot	Poly-Crystallinus vel Multi-Crystal Ingot
2	Crystal Size	D(60-75) x L (180-400) mm
3	Pondus per Crystal Ingot	2.5-6.0Kg
4	Mobilitas	≥3500 cm²/VS
5	Carrier Concentration	≤6E15, vel 6E15-3E16 cm^-3
6	stipare	Singulum InP crystallum ingot in sacculo plastico obsignato, 2-3 ingota in una cista lobortis.

Formulae lineares	InP
M. Pondus	145.79
Crystal structure	Cadmiae blende
Aspectus	Crystallina
Liquescens punctum	1062°C
Ferveret	N/A
Densitas ad 300K	4.81 g/cm³
Energy Gap	1.344 eV
Resistentia intrinseca	8.6E7 Ω-cm
CAS Number	22398-80-7
EC Number	244-959-5

India Phosphide InP Waferlate adhibetur ad fabricam partium optoelectronicarum, summus potentia et summus frequentia electronicarum machinarum, subiecta epitaxiali indio-gallium-arsenide (InGaAs) innixa machinis opto-electronicis.Indium Phosphide etiam in fabricatione est ad lumen maxime promittentes fontes in fibris opticis communicationis, proin potentiae principium machinis, proin amplificatores et portae FETs machinas, summus velocitas modulatores et detectores phoenica, et navigationis satelles et cetera.