Sapphire Al2O3 Wafer & Ingot Featured Image

Sapphirus Al₂O₃Azymum & Ingot

Descriptio

Sapphirus Singulus Crystal Wafer & Ingotor Aluminium Oxide Al₂O₃99,999% min, etiam ut lapides albi, structura anisotropica hexagonia, materia multi- nis optima est cum proprietatibus opticis singularibus, proprietatibus physicis et chemicis, extremam superficiem duritiem habens, conductivitatem scelerisque altam, dielectricam altam constantem, optimam perspicuitatem et bonum. stabilitas chemica cum resistentia communibus acida chemica et alcali.Sapphirus Unius Crystal seu Aluminium Oxide singula crystallina₂O₃99,999% puritas apud Minmetales occidentales (SC) Corporation liberari potest magnitudine diametri 2″, 4″ et 6″ (50mm, 100mm, 150mm) laganum et regulam, cum finitione superficiei in anaglypho, polito vel epi-parato processu finito.Quaelibet specificatio et amplitudo nativus est praefectus solutionis clientium nostrorum per orbem terrarum.

Applications

Propter vim structuralem alterius crystallini durissimi iuxta adamantes, sapphirus cristallus late usus est in fabricatione unius cristalli substrati, superconducto materiae substratae cinematographicae, caeruleae, purpureae et lucis albae emittens diodes LEDs, summus temperatura ultrarubrum fenestrae, et a. blue Laser LD Industrialis subiectam praetulit.Singula Crystal Sapphira vel unius aluminii cristallini oxydi Al2O3 utilis est in range transmissione ab 0.2-5.5 μm necnon in aliis potentiae provectis semiconductoribus industriis fabricandis.

nunc Inquisitionis

Singula

Tags

Technical Specification

Sapphirus Crystal Al₂O₃

Sapphirus Crystal, cum vi structurali alterius crystallini durissimi iuxta adamantis, late in fabricatione unius cristalli substrati, superconducto materiae cinematographici subiectae, caeruleae, purpureae et albae lucis emittens diodes LEDs, summus temperatura ultrarubrum fenestrae, et laser caeruleus. LD Industrial praelatus distent.Singula Crystal Sapphira vel unius aluminii cristallini oxydi Al2O3 utilis est in range transmissione ab 0.2-5.5 μm necnon in aliis potentiae provectis semiconductoribus industriis fabricandis.

Nec.	Items	Standard Specification
1	Diam mm	50.8±0.05	100±0.1	150±0.2
2	Incrementum Methodi	HEM	HEM	HEM
3	propensio	(CA) vel (CM)	(CA) vel (CM)	(CA) vel (CM)
4	Prima Flat Location	A-axis ±0.2°	A-axis ±0.2°	A-axis ±0.2°
5	Prima plana Longitudo mm	16±0.5	30±0.5	47.5±0.5
6	Crassitudo μm	430±10	650±20	1300±20
7	TTV μm max	5	10	15
8	Inclina μm max	5	10	15
9	Stamen μm max	8	15	30
10	Superficiem Conclusio	P/E	P/E	P/E
11	Superficies asperitas nm	<0.2 (epi-paratum, pro politum)
12	stipare	In vacuo sacculum NITROGENIUM repleti atmosphaera
13	Dicta	Ingol et mole usque ad 8" is available postulante.

Formulae lineares	Al₂O₃
M. Pondus	101.96
Crystal structure	Sexangulus
Aspectus	Translucens solidum
Liquescens punctum	2050 °F
Ferveret	2977 °F
Densitas ad 300K	4.0 g/cm³
Energy Gap	N/A
Resistentia intrinseca	1E16 Ω-cm
CAS Number	1344-28-1
EC Number	N/A

Sapphirus Singulus Crystalor *Aluminium Oxide?una crystal Al₂O₃99,999% puritas apud Minmetales occidentales (SC) Corporation liberari potest magnitudine diametri 2″, 4″ et 6″ (50mm, 100mm, 150mm) laganum et regulam, cum finitione superficiei in anaglypho, polito vel epi-parato processu finito.Quaelibet specificatio et amplitudo nativus est praefectus solutionis clientium nostrorum per orbem terrarum.